探测器种类、窗口面积及厚度、分辨率参数及影响因素如下资料所示:

探测器类型
面积/厚度
窗口选项
保证能量分辨率
eV FWHM @ 5.9 keV*
峰背比*
XR-100 部件号X-123 部件号
Si-PIN
6mm2/500 µm
0.5 或 1.0 密耳 Be
139 – 159 eV
32 µs 峰值时间
P/B 比:19000/1(典型值)
XY-FSG32MD-G3SP(1 密耳 Be)
XY-FSG32MD-G2SP(0.5 密耳 Be)
ZY-FSG32MD-G3SP(1 密耳 Be)
ZY-FSG32MD-G2SP(0.5 密耳 Be)
Si-PIN
13mm2/500 µm
1.0 密耳 Be
180 – 205 eV
32 µs 峰值时间
P/B 比:4100/1(典型值)
XY-FS432MD-G3SP(1 密耳 Be)ZY-FS432MD-G3SP(1 密耳 Be)
Si-PIN
25mm2/500 µm
1.0 密耳 Be
190 – 225 eV
32 µs 峰值时间
P/B 比:2000/1(典型值)
XY-FSJ32MD-G3SP(1 密耳 Be)ZY-FSJ32MD-G3SP(1 密耳 Be)
SDD
25mm2/500 µm
0.3 或 0.5 密耳 Be
125 – 135 eV
11.2 µs 峰值时间
P/B 比:>20000/1(典型值)
XY-GSH3AMD-G2SP(0.5 密耳 Be)
XY-GSH3AMD-G1SP(0.3 密耳 Be)
ZY-GSH3AMD-G2SP(0.5 密耳 Be)
ZY-GSH3AMD-G1SP(0.3 密耳 Be)
FAST SDD®
25mm2/500 µm
0.3 或 0.5 密耳 Be
C1 或 C2 Si3N4
122 – 129 eV
4 µs 峰值时间
P/B 比:>20000/1(典型值)
XY-HSH3AMD-G2SP(0.5 密耳 Be)
XY-HSH3AMD-G1SP(0.3 密耳 Be)
XY-HSH3AMD-U0EA (C1)
XY-HSH3AMD-E6EA (C2)
ZY-HSH3AMD-G2SP(0.5 密耳 Be)
ZY-HSH3AMD-G1SP(0.3 密耳 Be)
ZY-HSH3AMD-U0EA (C1)
ZY-HSH3AMD-E6EA (C2)
FAST SDD®-70
70mm2/500 µm
0.5 密耳 Be 或 C2 Si3N4
123 – 135 eV
4 µs 峰值时间
P/B 比:>20000/1(典型值)
XY-HS63AMD-Y2SP(0.5 密耳 Be)
XY-HS63AMD-W6EA (C2)
ZY-HS63AMD-Y2SP(0.5 密耳 Be)
ZY-HS63AMD-W6EA (C2)

*上表所有结果均在探测器完全冷却的情况下获得;请联系我们以讨论在不同工作条件下的保证性能。峰背(P/B)比是指 13 和 25 mm2 Si-PIN 从 5.9 keV 到 2 keV 的计数比以及所有 SDD 和 6 mm2 Si-PIN 从 5.9 keV 到 1 keV 的计数比。

用户在选择探测器时不仅应考虑分辨率,还应考虑面积、厚度、吞吐量和峰背比。

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图 1.Si-PIN 和 SDD 探测器的分辨率与峰值时间之间的关系。峰值时间约为 2.4 倍整形时间。

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图 2. 6 mm²、13 mm² 和 25 mm² Si-PIN 探测器的分辨率与峰值时间和温度之间的关系。

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图 3. 25 mm² 标准和 FAST SDD® 探测器的分辨率与峰值时间和温度之间的关系。

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图 4.70 mm² FAST SDD® 探测器的分辨率与峰值时间和温度之间的关系



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